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可以减少固态硬盘不必要的写入，从而减少闪存芯片的磨损，保持性能，延长固态硬盘的使用寿命。因此，及时更新发布的固件非常重要。它不仅可以提和稳定性，还可以修复以前的bug。应用范围较窄。模仿传统硬盘的设计，可以用大多数操作系统的文件系统工具来设置和管理，并提供工业标准的PCI和FC接口来连接主机或服务器。应用程序可以分为SSD硬盘和SSD硬盘两种，但属于非易失存储器。读取延迟极低，可轻松达到现有固态硬盘的1%，且存储寿命接近。不利之处在于密度相对NAND较低，成本极高，多用于发热台式机和数据中心。
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这就导致了不同产品在读写速度和价格上有很大差别，所以为了让大家直观地了解不同品牌NVMe固态硬盘的差异。
SSD目前已经是装机必备的硬件之一，固态硬盘可以极大地提高电脑的运行速度，比如一个128G的固态硬盘，厂家一般会标注120G，预留一部分空间。但是如果分区时只分100G，留出更多的空间，固态硬盘的性能会更好。这些保留空间将自动用于固态硬盘内部的优化操作，存储的介质是存储数据，存储的介质是存储存储数据，存储存储的介质是存储存储数据的介质，深圳贴片座子，存储存储的是存储数据，存储存储是存储数据的介质，存储存储是存储数据的基础。
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M.2相比也显得较厚。同样，M.2可以提供更大的存储容量，即使是在同样大小的情况下。SSD实际上是一种NGFF接口固态硬盘，这是一种高速磁盘接口，M.2规范是所提倡的微型连接器和模块方案，它为超极本量身订做了新一代接口标准，用来取代的mSATA接口。不管是尺寸更小，还是传输性能更好，采用PCIE总线的M.2都比mSATA要好得多。需要高速缓存芯片来辅助主控芯片进行数据处理。这里需要注意的是，为了节约成本，一些廉价的固态硬盘方案节省了缓存芯片，这将对使用中的性能产生一定的影响
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使用寿命长，根据闪存介质的不同而有所不同。SLC闪存一般达到几万次PE，MLC可达3000多次，TLC可达1000次左右，的QLC也可以保证300次的使用寿命。普通用户一年的写入量不超过硬盘的50倍，即使的QLC闪存也可以提供6年的写入寿命。可靠性很高，的家用固态硬盘可以轻松达到普通家用机械硬盘的故障率。
固DRAM为基础的固态硬盘：采用DRAM作为存储介质，应用范围较窄。模仿传统硬盘的设计，可以用大多数操作系统的文件系统工具来设置和管理，贴片座子分类，并提供工业标准的PCI和FC接口来连接主机或服务器。
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主要控制芯片是固态硬盘的大脑，它的作用一是合理地将数据分配到每个闪存芯片上，二是将整个数据中转，连接到闪存芯片和外部SATA接口。各主控制器之间的能力差异很大，在数据处理能力、算法、闪存芯片读写控制等方面都会有很大的差异，直接导致固态硬盘产品的性能差异高达数倍。
主控芯片旁边有缓存颗粒。固态硬盘和传统硬盘一样，需要高速缓存芯片来辅助主控芯片进行数据处理。
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固态硬盘基于3DXPoint：原理上接近DRAM，但属于非易失存储器。读取延迟极低，可轻松达到现有固态硬盘的1%，且存储寿命接近。不利之处在于密度相对NAND较低，成本极高，多用于发热台式机和数据中心。
基于闪存的固体硬盘是固体硬盘的主要类别，其内部结构非常简单，贴片座子现货，固体硬盘内的主体实际上是PCB板，该PCB板基本的附件是控制芯片、缓存芯片(部分低端硬盘没有缓存芯片)和用于存储数据的闪存芯片。
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M.2接口：
M.2接口，是Intel推出一种取代mSATA一个新的接口标准，也就是我们以前经常所提到的NGFF，即NextGenerationFormFactor。(即NGFF己经改名为M.2了)
mSATA：
mSATA(mini-SATA)是迷你型版本号SATA接口，外观和电子页面与miniPCI-E完全一致，但电子信号不一样，二者互相不适配。
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M.2与mSATA对比主要包括两个方面优点：
速度相当快
第二容积还小
M.2接口有两种类型：Socket2和Socket3，在其中Socket2适用SATA、PCI-EX2接口，而如果采用PCI-E×2接口标准，大的一个读取速度可达到700MB/s，载入也能达到550MB/s。而这其中的Socket3可支持PCI-E×4接口，基础理论网络带宽可以达到4GB/s。
M.2(NGFF)2280、2260和2242的各自：
长度的不一样，2280指卡宽22mm，长80mm;2260指宽22mm，长60mm;2242指宽22mm，长42mm。短肯定能装上，但不平稳，好匹配的。
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NVMe的优势在于三点：
更低的，NVMe精减了启用方法，贴片座子供货商，运行命令时必须载入存储器;而AHCI每一条指令则需载入4次存储器，一共会耗费8000次Cpu循环系统，从而造成2.5μs的延迟时间。
更高传送性能，目前市面上性能很不错的SATA接口SSD，在队列深层上面可达到32，但是那也是AHCI所能做到的极限值。但是现在的公司级PCIeSSD，其队列深层估计要做到128，甚至256才可以发挥其高IOPS性能。而NVMe标准下，大的一个队列深层可以达到64000。除此之外，NVMe的队列总数也从AHCI的1，提高了64000。
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